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    IMBG120R350M1HXTMA1
    IMBG120R350M1HXTMA1-Infineon代理全新原装现货
    制造：英飞凌（Infineon）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263
    器件封装：PG-TO263-7-12
    IMBG120R350M1HXTMA1技术资料下载
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    市场上提供IMBG120R350M1HXTMA1原装现货的英飞凌代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：IMBG120R350M1HXTMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：CoolSiC?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）：1.2kV
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.7A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：468 毫欧 @ 2A，18V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.9nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+18V，-15V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：196pF @ 800V
  • FET功能：标准
  • 功率耗散（最大值）：65W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO263-7-12
  • IMBG120R350M1HXTMA1 | Infineon代理全新原装现货
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    • 英飞凌代理为您提供IMBG120R350M1HXTMA1全新的原装现货，是市场上提供IMBG120R350M1HXTMA1的主要代理商之一
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