类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGD10N65T6ARMA1
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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基本功能
制造商产品型号:IGD10N65T6ARMA1制造商:Infineon Technologies描述:IGD10N65T6ARMA1系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:TrenchStop?零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):23A电流-集电极脉冲(Icm):42.5A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,8.5A功率-最大值:75W开关能量:200μJ(开),70μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:27nC25°C时Td(开/关)值:30ns/106ns测试条件:400V,8.5A,47 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63IGD10N65T6ARMA1 | Infineon代理全新原装现货
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