类别:单端场效应管
规格:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
原厂封装
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:BSZ180P03NS3 G制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8系列:OptiMOS?FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Ta),39.6A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 20A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 48μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2220pF @ 15V功率 - 最大值:2.1W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN供应商器件封装:-BSZ180P03NS3 G | Infineon代理全新原装现货
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