类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
PG-SOT23-3
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:BSS806N H6327制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23系列:OptiMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):57 毫欧 @ 2.3A,2.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 11μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.7nC @ 2.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):529pF @ 10V功率 - 最大值:500mW安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:PG-SOT23-3BSS806N H6327 | Infineon代理全新原装现货
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