类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
PG-SOT223-4
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基本功能
Infineon英飞凌公司完整型号:BSP149 L6906制造厂家名称:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223系列:SIPMOSFET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:耗尽模式漏源极电压 (Vdss):200V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):660mA(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 660mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 25V功率 - 最大值:1.8W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装:PG-SOT223-4BSP149 L6906 | Infineon代理全新原装现货
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