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BSO211P H-Infineon代理全新原装现货
类别:场效应管阵列
规格:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
PG-DSO-8
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市场上提供BSO211P H原装现货的英飞凌代理商之一
基本功能
  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSO211P H
  • 制造厂家名称:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):67 毫欧 @ 4.6A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 25μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1095pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:PG-DSO-8
  • BSO211P H | Infineon代理全新原装现货
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