类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
封装:8-PowerTDFN
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基本功能
制造商产品型号:BSG0810NDIATMA1制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:OptiMOS?零件状态:有源FET类型:2 N 沟道(双)非对称型FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动漏源电压(Vdss):25V25°C时电流-连续漏极(Id):19A,39A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.4nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1040pF @ 12V功率-最大值:2.5W工作温度:-55°C ~ 155°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerTDFNBSG0810NDIATMA1 | Infineon代理全新原装现货
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