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    AIHD03N60RFATMA1
    AIHD03N60RFATMA1-Infineon代理全新原装现货
    制造：英飞凌（Infineon）
    类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    规格：IC DISCRETE 600V TO252-3
    封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
    AIHD03N60RFATMA1技术资料下载
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    市场上提供AIHD03N60RFATMA1原装现货的英飞凌代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：AIHD03N60RFATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：5A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：7.5A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，2.5A
  • 功率-最大值：53.6W
  • 开关能量：50μJ（开），40μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：17.1nC
  • 25°C时Td（开/关）值：10ns/128ns
  • 测试条件：400V，2.5A，68 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • AIHD03N60RFATMA1 | Infineon代理全新原装现货
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