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IXTI10N60P
IXTI10N60P
制造：
IXYS
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
器件封装：TO-262（I2PAK）
IXTI10N60P技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：IXTI10N60P
制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收购）
描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO262
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：PolarHV?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：740 毫欧 @ 5A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1610pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：200W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
器件封装：TO-262（I2PAK）
IXTI10N60P | IXYS代理全新原装现货
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