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    IXTD1R4N60P 11
    IXTD1R4N60P 11-IXYS代理全新原装现货
    制造：IXYS
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
    器件封装：模具
    IXTD1R4N60P 11技术资料下载
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    市场上提供IXTD1R4N60P 11原装现货的IXYS代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：IXTD1R4N60P 11
  • 制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：PolarHV?
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：1.4A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9 欧姆 @ 700mA，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 25μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.2nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：140pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：模具
  • IXTD1R4N60P 11 | IXYS代理全新原装现货
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    • IXYS代理为您提供IXTD1R4N60P 11全新的原装现货，是市场上提供IXTD1R4N60P 11的主要代理商之一
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