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IXFN60N80P
IXFN60N80P
制造：
IXYS
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
器件封装：SOT-227B
IXFN60N80P技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：IXFN60N80P
制造商：IXYS（IXYS已被Littelfuse收购）
描述：MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：PolarHV?
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800V
25°C时电流-连续漏极(Id)：53A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：140 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：250nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：18000pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：1040W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
器件封装：SOT-227B
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