闂傚倸鍊搁崐鐑芥嚄閸撲礁鍨濇い鏍仜缁€澶嬩繆閵堝懏鍣圭紒鐘靛█閺岀喖骞戦幇闈涙闂佸憡淇洪~澶愬Φ閸曨垰绫嶉柛灞绢殕鐎氭稑鈹戦悙鐑橈紵闁告濞婂濠氬即閵忕娀鍞跺┑鐘绘涧濞层倝顢撳☉妯锋斀闂勫洨浜稿▎寰濇椽路濡ゅ懏鈷掑ù锝堟閸氱懓鈹戦鑺ョ稇闂囧鏌涚仦鎯у毈闁绘柨妫濋弻宥堫檨闁告挾鍠栧濠氭晲閸涱亜鐗氶梺褰掑亰閸樺ジ顢旈敓锟�
闂傚倸鍊搁崐鐑芥嚄閸撲礁鍨濇い鏍仜缁€澶嬫叏濡炶浜鹃梺鎸庣箘閸嬬偛顕ラ崟顖氱疀闁割煈鍋呭▍灞剧節閻㈤潧孝闁挎洩绠戦…鎸庣附濞嗘挻鈷掗柛灞捐壘閳ь剛鍏橀幃鐐烘晝閳ь剟鈥﹂崹顔ョ喖鎳栭埡鍐帬闂備礁鎼ˇ浼村垂瑜版帒姹查柨鏇炲€归悡鐔兼煙鐎电ǹ顎岄柍褜鍓ㄩ幏锟�
首页
热卖型号
产品关注
各类应用
关于我们
联系我们
当前位置:
首页
>>
IXYS
> >
IXFA8N50P3
IXFA8N50P3
制造:
IXYS
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:
MOSFET N-CH 500V 8A TO263
器件封装:TO-263(IXFA)
IXFA8N50P3技术资料下载
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:IXFA8N50P3
制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收购)
描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO263
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HiPerFET?, Polar3?
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500V
25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):800 毫欧 @ 4A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 1.5mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):705pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):180W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:TO-263(IXFA)
IXFA8N50P3 | IXYS代理全新原装现货
IXYS主要产品:
More...
MOSFET驱动器IC
固态继电器(MOSFET型)
XPTIGBTs
标准功率MOSFET
背光LED驱动器
MMIC放大器
HIPERDYNFRED超快二极管
MOSFET模块
IXYS产品主要用途:
More...
微控制器
集成电路
功率半导体
绿色能源
RF功率及系统
以下产品与IXFA8N50P3或许具有相似功能:
PLA190S
IXYS
ZGP323LAH2016G
IXYS
DPF30P600HR
IXYS
MCC56-16IO1B
IXYS
Z8F011AHJ020EG2156
IXYS
MCC44-08IO8B
IXYS
IXTP230N04T4M
IXYS
IXTC280N055T
IXYS
VUO30-18NO3
IXYS
IXFH60N50P3
IXYS
IXTP90N15T
IXYS
Z8523020VSC
IXYS
ZGP323HSH2004G
IXYS
Z8F022APJ020SG
IXYS
DGS3-025AS
IXYS
IXTT75N20L2
IXYS
Z0221524ASGR50A5
IXYS
Z8F012AHJ020SG
IXYS
Z86E3116VSC00TR
IXYS
MMO74-16IO6
IXYS
专业代理销售各大IC品牌电子元器件 - 承诺原装 - 最快当天发货 - 无起订量限制
|
Maxim
|
XMOS
|
Helix
|
Marvell
|
Xilinx
|