ISSI公司的两个晶体管的PMOS技术在程序消除了干扰和读取操作。 我们的专利带能带隧道（BTBT）编程，确保快速编程，低功耗，并在同行业中最好的续航能力（高达20years/200k周期）。 ISSI公司的嵌入式闪存远远超过竞争对手的n型或EEPROM类型的嵌入式解决方案。