移动DDR SDRAM

双倍数据速率

四个银行内部与银行的控制面板

可编程突发长度和CAS延时

省电有： 

- 部分阵列自刷新（PASR） 

- 温度Compenstate自刷新 

- 可选的输出驱动强度 

- 深度掉电

长期支持

移动DDR SDRAM

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的PowerSaver移动DDR SDRAM

巢穴 组织 类型 产品编号 VCC Refsh 速度（MHz） 封装（引脚） 状态 车型 评论

32M 2Mx16 MDDR IS43/46LR16200C 1.8V 4K 166133 BGA（60） 刺 IBIS

1Mx32 MDDR IS43/46LR32100C 1.8V 4K 166133 BGA（90） 刺 IBIS

64M 4Mx16 MDDR IS43/46LR16400B 1.8V 4K 166133 BGA（60） 刺 IBIS

2Mx32 MDDR IS43/46LR32200B 1.8V 4K 166133 BGA（90） 刺 IBIS

128M 8Mx16 MDDR IS43LR16800E 1.8V 4K 166133 BGA（60） NR IBIS

8Mx16 MDDR IS43/46LR16800F 1.8V 4K 166 BGA（60） 刺 IBIS

4Mx32 MDDR IS43LR32400E 1.8V 4K 166133 BGA（90） NR IBIS

4Mx32 MDDR IS43/46LR32400F 1.8V 4K 166 BGA（90） 刺 IBIS

256M 16Mx16 MDDR IS43/46LR16160F 1.8V 8K 200166133 BGA（60） NR IBIS

16Mx16 MDDR IS43/46LR16160G 1.8V 8K 200166133 BGA（60） 刺 IBIS ， IBIS（46）

8Mx32 MDDR IS43/46LR32800F 1.8V 4K 200166133 BGA（90） NR IBIS ， IBIS（46）

8Mx32 MDDR IS43/46LR32800G 1.8V 4K 200166133 BGA（90），POP（152） 刺 IBIS ， IBIS（46）

512M 32Mx16 MDDR IS43/46LR16320B 1.8V 8K 166133 BGA（60） 刺 IBIS ， IBIS（46）

32Mx16 MDDR IS43/46LR16320C 1.8V 8K 200166133 BGA（60） 刺 IBIS ， IBIS（46）

16Mx32 MDDR IS43/46LR32160B 1.8V 8K 166133 BGA（90），POP（152） 刺 IBIS ， IBIS（46）

16Mx32 MDDR IS43/46LR32160C 1.8V 8K 200166133 BGA（90），POP（152） 刺 IBIS ， IBIS（46）

1G 64Mx16 MDDR IS43/46LR16640A 1.8V 8K 200166133 BGA（60） 刺 IBIS ， IBIS（46）

32Mx32 MDDR IS43/46LR32320B 1.8V 8K 200166133 BGA（90） S = NOW

2G 64Mx32 MDDR IS43/46LR32640A 1.8V 8K 200166133 BGA（90） S = NOW IBIS ， IBIS（46）