类别:场效应管阵列
规格:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
8-PQFN
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:IRFHM8363TR2PBF制造厂家名称:IR(International Rectifier)已被英飞凌INFINEON收购描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN系列:HEXFETFET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.9 毫欧 @ 10A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1165pF @ 10V功率 - 最大值:2.7W安装类型:表面贴装产品封装:8-PowerVDFN供应商器件封装:8-PQFN(3.3x3.3), Power33IRFHM8363TR2PBF | IR代理全新原装现货
以下产品与IRFHM8363TR2PBF或许具有相似功能:
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR