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海力士(Hynix)
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F3P-6SS0E
F3P-6SS0E
制造:
海力士(Hynix)
类别:
Memory chips
规格:
Memory chips
BGA
F3P-6SS0E技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:F3P-6SS0E
制造商:SK Hynix(海力士半导体)
描述:IC DRAM Memory chips
产品系列:存储器
包装:散装
系列:-
零件状态:有源
存储器类型: -
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - DDR2
存储容量: -
存储器接口: -
时钟频率: -
写周期时间-字,页: -
访问时间: -
电压-供电: -
工作温度: -
安装类型:表面贴装型
产品封装: -
F3P-6SS0E | Hynix代理全新原装现货
海力士(Hynix)主要产品:
More...
NAND Flash
Mobile DDR
GDDR5 SDRAM
DDR4 SDRAM
Mobile DDR2
Mobile SDR
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
海力士(Hynix)产品主要用途:
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DRAM动态随机存取存储器
非易失闪存NAND Flash
以下产品与F3P-6SS0E或许具有相似功能:
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