类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
器件封装:TO-263-7
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基本功能
制造商产品型号:G3R350MT12J制造商:GeneSiC Semiconductor描述:SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:G3R?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):1200V25°C时电流-连续漏极(Id):11A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):15V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):420 毫欧 @ 4A,15V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.69V @ 2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):12nC @ 15VVgs(最大值):±15V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):334pF @ 800VFET功能:-功率耗散(最大值):75W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TO-263-7G3R350MT12J | GeneSiC代理全新原装现货
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