类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
器件封装:TO-263-7
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基本功能
制造商产品型号:G2R1000MT33J制造商:GeneSiC Semiconductor描述:SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:G2R?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):3300V25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):20V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.2 欧姆 @ 2A,20V不同Id时Vgs(th)(最大值):3.5V @ 2mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):21nC @ 20VVgs(最大值):+20V,-5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):238pF @ 1000VFET功能:-功率耗散(最大值):74W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TO-263-7G2R1000MT33J | GeneSiC代理全新原装现货
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