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2N7635-GA
2N7635-GA
制造:
GeneSiC
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:
TRANS SJT 650V 4A TO257
器件封装:TO-257
2N7635-GA技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:2N7635-GA
制造商:GeneSiC Semiconductor
描述:TRANS SJT 650V 4A TO257
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:-
零件状态:停产
FET类型:-
技术:SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss):650V
25°C时电流-连续漏极(Id):4A(Tc)(165°C)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):415 毫欧 @ 4A
不同Id时Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):324pF @ 35V
FET功能:-
功率耗散(最大值):47W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 225°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:TO-257
2N7635-GA | GeneSiC代理全新原装现货
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