类别:单路IGBT
规格:IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号:HGT1S10N120BNS制造厂家名称:Fairchild 仙童半导体(已被ON安森美收购)描述:IGBT 1200V 35A 298W TO263AB系列:-IGBT 类型:NPT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35ACurrent - Collector Pulsed (Icm):80A不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,10A功率 - 最大值:298WSwitching Energy:320μJ (开), 800μJ (关)输入类型:标准Gate Charge:100nC25°C 时 Td(开/关)值:23ns/165nsTest Condition:960V, 10A, 10 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263ABHGT1S10N120BNS | Fairchild代理全新原装现货
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