类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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基本功能
制造商产品型号:HTMN5130SSD-13制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):55V25°C时电流-连续漏极(Id):2.6A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 3A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.9nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):218.7pF @ 25V功率-最大值:1.7W工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)HTMN5130SSD-13 | Diodes代理全新原装现货
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