类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
器件封装:PowerDI5060-8
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基本功能
制造商产品型号:DMTH8012LPSQ-13制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):80V25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta),72A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):17 毫欧 @ 12A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):46.8nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2051pF @ 40VFET功能:-功率耗散(最大值):2.6W(Ta),136W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PowerDI5060-8DMTH8012LPSQ-13 | Diodes代理全新原装现货
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