类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
器件封装:PowerDI5060-8
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基本功能
制造商产品型号:DMTH10H025LPSQ-13制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):9.3A(Ta),45A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):23 毫欧 @ 20A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):21nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1477pF @ 50VFET功能:-功率耗散(最大值):3.2W(Ta),79W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:PowerDI5060-8DMTH10H025LPSQ-13 | Diodes代理全新原装现货
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