类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
封装:8-PowerTDFN
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基本功能
制造商产品型号:DMT10H017LPD-13制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):100V25°C时电流-连续漏极(Id):54.7A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):17.4 毫欧 @ 17A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):28.6nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1986pF @ 50V功率-最大值:2.2W(Ta),78W(Tc)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerTDFNDMT10H017LPD-13 | Diodes代理全新原装现货
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