类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
器件封装:X2-DFN1006-3
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基本功能
制造商产品型号:DMN2500UFB4-7制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):810mA(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):0.74nC @ 4.5VVgs(最大值):±6V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):60.67pF @ 16VFET功能:-功率耗散(最大值):460mW(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:X2-DFN1006-3DMN2500UFB4-7 | Diodes代理全新原装现货
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