类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
封装:6-UFDFN
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基本功能
制造商产品型号:DMN2014LHAB-7制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:有源FET类型:2 N 沟道(双)共漏FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):9A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 4A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):16nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 10V功率-最大值:800mW工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:6-UFDFNDMN2014LHAB-7 | Diodes代理全新原装现货
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