类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
封装:6-VFDFN
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基本功能
制造商产品型号:DMN2013UFX-7制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:2 N 沟道(双)共漏FET功能:标准漏源电压(Vdss):20V25°C时电流-连续漏极(Id):10A(Ta)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11.5 毫欧 @ 8.5A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):57.4nC @ 8V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2607pF @ 10V功率-最大值:2.14W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:6-VFDFNDMN2013UFX-7 | Diodes代理全新原装现货
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