类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
器件封装:SC-59
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基本功能
制造商产品型号:DMN1019USN-7制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):12V25°C时电流-连续漏极(Id):9.3A(Ta)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.2V,2.5V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 9.7A,4.5V不同Id时Vgs(th)(最大值):800mV @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):50.6nC @ 8VVgs(最大值):±8V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2426pF @ 10VFET功能:-功率耗散(最大值):680mW(Ta)工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:SC-59DMN1019USN-7 | Diodes代理全新原装现货
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