类别：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
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基本功能
制造商产品型号：ALD1110EPAL制造商：Advanced Linear Devices Inc.描述：MOSFET 2N-CH 10V 8DIP系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：EPAD?零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）配对FET功能：标准漏源电压（Vdss）：10V25°C时电流-连续漏极(Id)：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 欧姆 @ 5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.01V @ 1μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2.5pF @ 5V功率-最大值：600mW工作温度：0°C ~ 70°C（TJ）安装类型：通孔封装：8-DIP（0.300，7.62mm）ALD1110EPAL | ALD代理全新原装现货以下产品与ALD1110EPAL或许具有相似功能：
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